發(fā)布時(shí)間:2025-07-31 21:40:43 來源:三回九轉(zhuǎn)網(wǎng) 作者:時(shí)尚
目前大多數(shù)手機(jī)和輕薄本正在使用的內(nèi)存類型都是LPDDR5內(nèi)存,LPDDR5X則是性能更好的LPDDR5內(nèi)存,本質(zhì)上沒有區(qū)別。距離LPDDR5內(nèi)存上市已經(jīng)過去了5年多的時(shí)間了,也是時(shí)候開始準(zhǔn)備下一代內(nèi)存產(chǎn)品了。目前制定內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)的JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會就正式發(fā)布了JESD209-6,即最新的低功耗雙倍數(shù)據(jù)速率6(LPDDR6)標(biāo)準(zhǔn)。
核心參數(shù)方面,LPDDR6內(nèi)存的頻率將從10667Mbps起步,最高可達(dá)14400Mbps。同時(shí)其位寬也得到進(jìn)一步增加,單通道從16bit升級到24bit,這意味著通常使用四通道內(nèi)存的手機(jī)產(chǎn)品的內(nèi)存位寬從64bit升級到96bit,8通道的筆記本產(chǎn)品則是從的128bit升級到192bit,顯存帶寬顯然也是隨之大幅提升,對于集成顯卡的性能表現(xiàn)有著非常大的助力。
對比上一代LPDDR5標(biāo)準(zhǔn),全新的LPDDR6帶來了一系列改進(jìn),從結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、能耗優(yōu)化以及安全性上帶來了多項(xiàng)升級,包含雙重子通道架構(gòu)設(shè)計(jì)、VDD2供電以及PRAC每行激活計(jì)數(shù)的支持等等新功能和新設(shè)計(jì),將會給用戶帶來更強(qiáng)的性能,更低的功耗以及更好的安全表現(xiàn)。JEDEC表示,JESD209-6旨在顯著提升多種應(yīng)用場景(包括移動設(shè)備和人工智能)的內(nèi)存速度與效率,新版 JESD209-6 LPDDR6 標(biāo)準(zhǔn)是內(nèi)存技術(shù)的重大進(jìn)步,在性能、能效和安全性方面均有提升。
此前的消息顯示,三星可能將在今年下半年提供新一代LPDDR6內(nèi)存的量產(chǎn),SK海力士和長鑫存儲也有望在年內(nèi)或者明年初實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。這意味著在今年下半年到明年上半年發(fā)布的新旗艦手機(jī)當(dāng)中,我們就有希望看到全新的LPDDR6內(nèi)存了,搭配新一代旗艦芯片能夠帶來怎樣的性能表現(xiàn)也十分值得期待。而輕薄本產(chǎn)品則有可能到2026年中甚至下半年才有希望用上新一代的LPDDR6內(nèi)存。
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