發(fā)布時間:2025-08-02 02:41:44 來源:三回九轉(zhuǎn)網(wǎng) 作者:綜合
日前,美國NEO半導體公司宣布了全球首款3D內(nèi)存,可解決內(nèi)存容量瓶頸,追上SSD。相關(guān)專利申請已于2023年4月6日在美國專利申請公告中公布。
NEO是一家存儲芯片技術(shù)公司,這次推出的3DX-DRAM號稱全球首款類3D NAND的內(nèi)存技術(shù),將內(nèi)存帶入3D時代。其技術(shù)思路跟3D NAND閃存類似,通過堆棧層數(shù)來提高內(nèi)存容量,類似閃存芯片中的FBC浮柵極技術(shù),但增加一層Mask就可以形成垂直結(jié)構(gòu),因此良率高、成本低、密度大幅提升。
根據(jù)Neo的估計,3DX-DRAM技術(shù)可以通過230層實現(xiàn)128GB的容量,相較于當前16GB的2D DRAM內(nèi)存實現(xiàn)8倍容量的提升,并且計劃每十年將3DX-DRAM的容量提升8倍,到2035年達到1TB的核心容量,實現(xiàn)總計64倍的容量提升。不過,由于NEO公司并沒有自己的晶圓廠,因此目前尋找授權(quán)廠商,如三星、SK海力士、美光、西數(shù)、鎧俠等,以便將3DX-DRAM投入生產(chǎn)。
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